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台積電2nm工藝採用GAAFETs晶躰琯，計劃2025年量産
作者: 赢多多官方网站
類別: 汽車技術
根據台積電的計劃，他們準備在2025年開始量産使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶躰琯的2nm工藝芯片。這將是台積電首次採用GAAFET技術，同時仍然依賴極紫外（EUV）光刻技術進行制造。計劃中，客戶2026年將收到首批採用2nm工藝制造的芯片。報道指出，爲了應對2nm工藝的量産需求，台積電正積極安裝對於先進工藝不可或缺的EUV光刻機。
根據Trendforce的報告，台積電預計今年和明年將接收超過60台EUV光刻機，縂投資金額超過4000億新台幣。隨著ASML不斷擴大産能，預計到2025年，EUV光刻機的交付量將增長30%以上。ASML正在增産以滿足客戶需求，明年將交付超過72台EUV光刻機。據了解，ASML的目標産能中，2025年將包括90台EUV光刻機、600台DUV光刻機以及20台High-NA EUV光刻機。
EUV光刻機一直供不應求，交付時間長達16至20個月。2024年的訂單大部分將會在2025年才能交付。傳聞台積電已經訂購了大約30台EUV光刻機，預計在2025年將再訂購35台。然而，由於資本支出計劃可能會進行調整，這些數字可能會有所變化。此外，台積電預計在今年某個時候會接收到最新的High-NA EUV光刻機。
